常见三种铌酸锂晶体制备办法

　　铌酸锂晶体有两个特点十分受重视，一是铌酸锂晶体光电效应多，具备包含压电效应、电光效应、非线性光学效应、光折变效应、光生伏打效应、光弹效应、声光效应等几种光电功能;二是铌酸锂晶体的功能可调控性强，它是由铌酸锂晶体的晶格结构和丰富的缺点结构所导致，铌酸锂晶体的诸多功能能够从晶体组分、元素掺杂、价态操控等进行大幅度调控。

　　铌酸锂晶体的制备

　　(1)同成分铌酸锂晶体

　　针对同成分铌酸锂晶体来讲，其制备大多选用提拉法。虽然泡生法、导模法、温梯法等办法也曾用来进行铌酸锂晶体的制备，但和提拉法比照并没有显着优势以及具有明确的事务需求，因而并未得到广泛的重视。

　　(2)近化学计量比铌酸锂晶体

　　近化学计量比铌酸锂晶体虽然具备诸多优异的光电功能，但其配比偏离固液同成分共熔点，无法选用惯例提拉法成长高质量晶体，现在大多选用的制备办法有富锂熔体法、助熔剂法、扩散法。

　　(3)铌酸锂单晶薄膜

　　铌酸锂单晶薄膜能够运用在光波导、声学器材等微纳结构及其制备硅基等混合集成器材等多个方面，人们老早就开始探究铌酸锂单晶薄膜的制备，不过真正得到应用的办法只有“离子切片”(IonSlicing)技能，现在已完成了商品化，能够供给厚度为300~900nm的单晶薄膜产品。