铌酸锂晶体的生产办法

　　铌酸锂晶体有两个特点尤为引人重视，一是铌酸锂晶体光电效应多，具有包含压电效应、电光效应、非线性光学效应、光折变效应、光生伏打效应、光弹效应、声光效应等多种光电功能；二是铌酸锂晶体的功能可调控性强，这是由铌酸锂晶体的晶格结构和丰富的缺点结构所造成，铌酸锂晶体的许多功能可以通过晶体组分、元素掺杂、价态操控等进行大幅度调控。

　　别的铌酸锂晶体的物理化学功能适当稳定，易于加工，光透过规模宽，具有较大的双折射，并且简单制备高质量的光波导，所以根据铌酸锂晶体的光调制器在长距离通信中有着无可比拟的优势——不只具有很小的啁啾(chirp)效应、高调制带宽、杰出消光比，并且稳定性恰当优胜，是高速器件中佼佼者，因而被广泛使用于高速高带宽的长距离通信中。

　　同成分铌酸锂晶体：

　　关于同成分铌酸锂晶体而言，其制备首要选用提拉法。虽然泡生法、导模法、温梯法等方法也曾用来进行铌酸锂晶体的制备，可是与提拉法相比并没有显着的优势或具有明晰的使用需求，因而并未得到广泛的重视。

　　近化学计量比铌酸锂晶体：

　　近化学计量比铌酸锂晶体虽然具备许多优秀的光电功能，可是其配比偏离固液同成分共熔点，无法选用常规的提拉法成长高质量的晶体，现在首要选用的制备方法有富锂熔体法、助熔剂法、分散法。

　　铌酸锂单晶薄膜：

　　铌酸锂单晶薄膜能够使用在光波导、声学器件等微纳结构以及制备硅基等混合集成器件等方面，人们很早就开端探究铌酸锂单晶薄膜的制备，不过真实得到使用的方法只要“离子切片”(IonSlicing)技术，现在已经完成了商品化，能够供应厚度为300~900 nm的单晶薄膜产品。